氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件OXIDIZED LOW DENSITY LIPOPROTEIN SENSING DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE PROCESS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/435,457

專利證號

US 7,759,710 B1

專利獲證名稱

氮化鎵製程氧化低密度脂蛋白感測元件OXIDIZED LOW DENSITY LIPOPROTEIN SENSING DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE PROCESS

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2010/07/20

技術說明

本發明係利用無閘極氮化鎵高電子移導率場效電晶體製作氧化低密度脂蛋白(Oxidized Low density lipoprotein)感測電晶體並用來偵測血液內氧化低密度脂蛋白濃度，蛋白質氧化的程度越高，在定量的情況下，會抵銷無閘極氮化鎵金氧半場效應電晶體的內建電場，使得氮化鎵金氧半場效應電晶體閘極電壓所引發的通道電流能有顯著的改變，並藉此電流的改變來反映出血液中氧化蛋白質的濃度，相較於傳統矽晶片，氮化鎵金氧半場效應電晶體能夠同時具有低成本，高環境抵抗力，與低漏電流之功能，能夠避免繁雜的化學檢驗並能快速準確且簡易的感應人體內蛋白質氧化之程度。

備註

本部(收文號1070022250)同意該校107年3月29日長庚大字第1070030286號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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