加速度計3-axis accelerometer with gap-closing capacitive electrodes

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/556,433

專利證號

US 8,443,670 B2

專利獲證名稱

加速度計3-axis accelerometer with gap-closing capacitive electrodes

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/05/21

技術說明

所揭露的是一種實施於 SOI 晶圓上新穎的電容式Z 軸（出平 面）加速度計，這種加速度計包含特別設計的間隙閉合差分感測 電極。本Z 軸加速度計有四項優點：（一）間隙閉合的差分電容感 測電極的設計提高了靈敏度，（二）SOI 晶圓的設備層和處理層之 間的金屬互連設計使得在結合板上的寄生電容減少，（三）所感測 的間隙厚度係已由SOI 晶圓的方格氧化層所精準定義，（四）感測 電極固定於基板並作為一種移動範圍限阻機制以保護加速度計免 受意外撞擊損傷。 Disclosed is a novel capacitive-type Z-axis (out-of-plane) accelerometer implemented on SOI wafer. This accelerometer contains special designed gap-closing differential sensing electrodes. The presented Z-axis accelerometer has four merits, (1) the sensitivity is improved by the gap-closing differential electrodes design, (2) the parasitic capacitance at bond pad is reduced by the metal-interconnect design between the device-layer and handling-layer of SOI wafer, (3) the sensing gap thickness is precisely defined by the box-oxide layer of SOI wafer, and (4) the stationary sensing electrodes anchored to the substrate also act as the limit-stop to protect the accelerometer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址