發光二極體之製造方法(美)-CFP-920-1

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/936,354

專利證號

US 6,964,878 B2

專利獲證名稱

發光二極體之製造方法(美)-CFP-920-1

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2005/11/15

技術說明

本發明係關於一種發光二極體，其主要包括一透明視窗層，一至少包括一活性發光層之發光二極體磊晶片，及一形成於 透明視窗層及發光二極體磊晶片間之透明導電膜；其中透明導電膜可為氧化銦錫等金屬氧化物、氧化物或氟化物。藉由 透明導電膜，可使本發明之發光二極體具有高發光效率及降低電阻、增加電流分佈之優點。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址