靜態隨機存取記憶體單元

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100141583

專利證號

I 479488

專利獲證名稱

靜態隨機存取記憶體單元

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/04/01

技術說明

本發明係揭露一種靜態隨機存取記憶體單元，其包含一第一反向器、一第二反向器、一第一電晶體、一第二電晶體以及一第三電晶體，且第一反向器與第二反向器相互跨接耦合。第一電晶體連接於一寫入字元線、一寫入位元線以及第一反向器之一第一輸出節點，而第二電晶體連接於一寫入互補位元線、寫入字元線以及第二反向器之一第二輸出節點，以分別形成一傳輸閘。並且，第三電晶體連接於一讀取位元線、一讀取字元線以及第一反向器之第一輸入節點，形成一讀取埠電晶體，使記憶體單元具有一讀取埠。其中，讀取埠電晶體具有非對稱性臨界電壓之特性，可降低箝制電流來延展讀取位元線擺幅，亦可利用昇壓讀取位元線)方式來延展讀取位元線擺幅。 The present invention discloses a static random access memory cell, which comprises the first inverter, the second inverter, the first transistor, the second transistor, and the third transistor. The first inverter is cross-coupled with the second inverter. Moreover, the second transistor is connected with a complementary write bit line, the write word line, and the second output node of the second inverter, so as to respectively form a pass gate. Furthermore, the third transistor is connected with a read bit line, a read word line, and the first input node of the first inverter, so as to form a read port transistor. Thereby, the memory cell has a read port. Wherein, the read port transistor has a feature of asymmetric threshold voltage, and the read bit line swing can be expanded by the decrease of clamping current or the boosted read bit line, and the read bit line swing can be expanded through a boosted read bit line.

備註

本部(收文號1100063323)同意該校110年10月19日清智財字第1109006858號函申請終止維護專利(清大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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