具有氣泡之微流體系統及其氣體放電方法與氣體反應方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201110032572.4

專利證號

1454673

專利獲證名稱

具有氣泡之微流體系統及其氣體放電方法與氣體反應方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/06

技術說明

電漿技術一般用於氣體成分分析，如Optical Emission Spectrum，OES、發光光源、電漿輔助之薄膜沉積，如電漿輔助化學氣相沉積，PECVD、表面改質等。然而作為電漿技術之機台通常體積龐大、不便攜帶，兼之業界並無對於電漿直接的操控，故此申請案之發明以電場實現氣泡的操控並可進一步在氣泡中產生電漿，因此系統體積小，可在有限空間下以氣泡型態侷限多種氣體以產生電漿而應用於氣體檢測、表面改質以及氣泡光源等。 The applications of plasma include gas analyses, optical emission specturm (OES), thin film deposition (PECVD), and suface modification. The plasma system is usually large and non-portable. The plasma can hardly be directly manipulated (move, split, join). The invention realizes plasma in a tiny bubble. The system is small and portable, which will be applied to gas detection, surface modification, reaction, and lighting.

備註

本部(收文號1090020336)同意該校109年4月6日交大研產學字第1091002952號函申請終止維護專利(交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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