平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型／p型金半場效電晶體之結構與製程整合方法METHOD OF FORMING A PLANAR COMBINED STRUCTURE OF A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND N-TYPE AND P-TYPE METAL SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND METHOD FOR FORMING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/190,117

專利證號

US 7,759,172 B2

專利獲證名稱

平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型／p型金半場效電晶體之結構與製程整合方法METHOD OF FORMING A PLANAR COMBINED STRUCTURE OF A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND N-TYPE AND P-TYPE METAL SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND METHOD FOR FORMING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2010/07/20

技術說明

待補

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址