減緩薄膜阻塞之廢水處理方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100103088

專利證號

I 421218

專利獲證名稱

減緩薄膜阻塞之廢水處理方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/01/01

技術說明

一種減緩薄膜阻塞之廢水處理方法，係包含：一凝集步驟，係於一廢水中添加一混凝劑，於該混凝劑與廢水混合後加入一膠凝劑，使該廢水中之微粒產生凝集作用而形成膠羽；一沉澱步驟，係將該膠羽静置且經由重力沉降去除後，以獲得仍殘存有部份膠羽及未凝集微粒的初處理廢水；一分離步驟，係將該初處理廢水導入填充有多孔隙材料的一管柱，使該初處理廢水流經該多孔隙材料而分離該初處理廢水中的部份膠羽及部分未凝集微粒，以獲得二次處理廢水；及一過濾步驟，係以一薄膜濾除該二次處理廢水中殘餘的未凝集微粒，而獲得一澄清廢水。本發明係關於一種廢水處理方法，特別是一種具有減緩逆滲透薄膜阻塞之廢水處理方法。 多數工業製程係容易受到水資源取得不易之限制而影響產業發展，因此，工業廢水回收再利用之技術係為目前工業區針對水資源永續利用的重要課題，尤其係以需水量高的半導體產業更具有發展廢水回收再利用之必要性。常見之半導體廢水係為化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)製程廢水，該廢水中係含有大量的非金屬微粒及少量的金屬粒子。傳統多以薄膜分離(Membrane Separation)技術來回收此類半導體製程廢水，舉凡微過濾(Micro-filtration, MF)、超過濾(Ultra-filtration, UF)及陶瓷過濾(Ceramic Filtration)等。然而，直接利用薄膜分離技術處理此類含有大量微粒之廢水時，係容易因廢水中的微粒粒徑較小而造成薄膜表面產生孔隙阻塞之現象，如此，非但無法有效去除廢水中的微粒更無法有效去除廢水濁度與懸浮固體，甚至導致薄膜使用效率下降且影響薄膜的使用壽命。 Semiconductor wastewater contains high turbidity and nano-scale particle, which is caused by high concentrations of inorganic particles. If the particles could be efficiently removed, the water could be recycled and reused. However, due to its high particle-containing characteristics, the commonly used membrane filtration technology can not be directly applied for purification process because the fouling/clogging problem would cause the frequent membrane replacement. Results from our investigation indicate that the semiconductor wastewater has mean particle size of approximately 300 nm. The pH and conductivity were in the ranges of 6.8 to 7.2 and 14 to 18 μS/cm, respectively. In the sand filtration test, a sand column containing quartz sands with effective size of 0.4-0.8 mm was operated with a filtration velocity of 0.6 mh-1. Results from a sand column study indicate that sand filtration system could not effectively remove the nano-scale particles when it is used along.

備註

本部(收文號1061000804)同意該校106年10月20日中產營字第1061401097號函申請終止維護專利

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