n階任意相移正弦波振盪器結構及其分析合成製造方法NTH-ORDER ANY-PHASE-SHIFT SINUSOIDAL OSCILLATOR STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2010-094524

專利證號

特許 5815925

專利獲證名稱

n階任意相移正弦波振盪器結構及其分析合成製造方法NTH-ORDER ANY-PHASE-SHIFT SINUSOIDAL OSCILLATOR STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2015/10/02

技術說明

一種n階電壓與電流模式之任意相移振盪器結構，使用n個運算轉導放大器OTA，或第二代電流控制傳輸CCCll與n個接地電流便可合成。連接OTA以及CCCll之輸入/輸出特性與接地電容之反應，其合成的步驟首先基於帶數分析來分析振盪特性方程式，獲得一正交振盪器結構。再者，控制每一輸出訊號與另外一個具有預設的大於或小於九十度之特性(亦即非正交)，選擇性的將任意兩個OTA/CCCll-C子電路結合，以於正弦波振盪器結構中獲得正交轉換至任意相移之特性。更甚者，幾個補償機制亦被提出用以減少因為非理想特性所造成的輸出參數偏移。

備註

本部(收文號1070030496)同意該校107年5月7日原產字第1070002412號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

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