高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093133302

專利證號

I 243433

專利獲證名稱

高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/11/11

技術說明

本發明主要揭示了在一種高度陣列式排列的氮摻雜P-TYPE氧化鋅奈米線的製備方法， 在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上，經由一種簡單的化學溶液法，在低溫成長氧化鋅奈米 線，再經過NH3電漿處理而形成。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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