SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PHOTODETECTOR INCLUDING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/854,252

專利證號

US 11,296,250

專利獲證名稱

SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PHOTODETECTOR INCLUDING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2022/04/05

技術說明

利用不同半導體的晶面及介面效應來控制電流的流通以達到於低施加電壓時有整流的效果，並可用某些半導體異質結構介面的組合來達到光致電流的增強，因此藉由半導體異質結構的介面組合可用於製備新穎的場效電晶體及光感測器。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址