週期性結構之製作方法及發光元件之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097107635

專利證號

I 419356

專利獲證名稱

週期性結構之製作方法及發光元件之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

本發明提供一種發光元件之製作方法，包括以下步驟：提供一發光單元，至少包括一半導體層，提供一光調制單元(optical modulation element)，以一光束通過光調制單元形成干涉條紋，照射於發光元件之第一型半導體層上，藉由干涉條紋，進行一光輔助電化學蝕刻製程，於半導體層形成週期性之結構，在一實施例中，該週期性之結構為光子晶體。 The invention provides a method for forming a light-emitting device. A light-emitting element comprising at least a semiconductor layer is provided. A optical modulation element is provided. A beam passes through the optical modulation element and generate interference patterns on the semiconductor layer of the light-emitting element, and followed by conducting photoelectrochemical etching with the semiconductor layer irradiated by interfere patterns to form a periodic structure. In an embodiment, the periodic structure is photonic crystal structure.

備註

本部(收文號1110015008)同意該校111年3月16日校研發字第1110018536號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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