一種具有氮化鋁陰極電極之上發光反置型有機發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095103957

專利證號

I 337048

專利獲證名稱

一種具有氮化鋁陰極電極之上發光反置型有機發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2011/02/01

技術說明

本發明係屬一種具有氮化鋁陰極電極之上發光反置型有機發光二極體，係利用鋁金屬作為上發光反置型元件陰極，藉鋁具有之高反射率，而以微波電漿氮化處理，使鋁金屬表面形成一氮化鋁絕緣薄層，除用來增加電子從陰極注入的能力，並可提升發光效率；因此，構成本發明之發光元件即係以氮化鋁作為元件陰極，以金/銀雙層半透明金屬作為元件陽極，而電子傳輸和發光層/電洞傳輸層/電洞注入層，屬有機層，則夾置於其間。如此，由本發明製作主動式上發光反置型有機發光二極體顯示器，將可有效增加每個畫素的開口率，及提昇發光效率與提高元件的壽命。 A top-emission inverted organic light-emitting diode (TEIOLED) was fabricated by using Al/AlNx layer as the cathode in the device structure of glass/Al/AlNx/Alq3/NPB/MTDATA/Au/Ag, where AlNx ultra thin layer was obtained from Al layer under 90 W microwave plasma treatments in Ar and N2 mixed gas environment. The N2/Ar ratio and plasma treatment time were adjusted to obtain the maximum luminance and efficiency of 1206 cd/m2 and 0.51 cd/A, respectively, both at 17 volts. The AlNx layer surface after plasma treatment was examined by atomic force microscope to study the effects of surface roughness on the electroluminescent (EL) characteristics. The AlNx layer thickness also affected the EL results apparently. The Al layer treated by O2 plasma to become AlOx on the surface can not be used as cathode due to very short lifetime happening in the TEIOLED.

備註

本部(收文號1040050424)同意該校104年7月14日虎科大智財字第10434061520號函申請終止維護專利

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