鋁電極之製造方法、其製備之鋁電極以及含該鋁電極之鋁電容器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101128923

專利證號

I 443696

專利獲證名稱

鋁電極之製造方法、其製備之鋁電極以及含該鋁電極之鋁電容器

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2014/07/01

技術說明

本技術提供一種鋁電極之製造方法，其包括齊備一奈米碳管鋁箔電極；於一氣體流量下，對該奈米碳管鋁箔電極進行氮電漿處理，歷經一時程後，得到一改質之奈米碳管鋁箔電極；以及使用化學液相沉積法於該改質之奈米碳管鋁箔電極上沉積一氧化鋁薄膜，歷經一化學液相沉積時間後，得到一鋁電極。本技術更提供一種由前述之方法製得的鋁電極以及含該鋁電極之鋁電容器。本技術利用氮電漿處理，使得製備出的鋁電極，具有良好的性質藉以使含該鋁電極之鋁電容器具有良好的電容量以及操作電壓。 The present technology provides a method for fabricating an aluminum electrode. A carbon nanotube aluminum foil electrode is first prepared. The carbon nanotube aluminum foil electrode is treated by nitrogen-plasma under a gas flow for a predetermined time, and a modified carbon nanotube aluminum foil electrode is obtained. A chemical liquid phase deposition method is used to deposit an alumina thin film on the modified carbon nanotube aluminum foil electrode for a predetermined chemical liquid phase deposition time, and then an aluminum electrode is obtained. The present technology also provides an aluminum electrode prepared by the method and an aluminum capacitor including the aluminum electrode. In order to posses better properties for the prepared aluminum electrode, the present technology uses nitrogen-plasma treatment; thus the aluminum capacitor including the aluminum electrode possesses a higher capacitance and a higher operation voltage.

備註

本部(發文號1090003147)同意貴校108年9月26日雲科大研字第1080502640號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址