環形磁阻記憶體及其寫入方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/267,904

專利證號

US 9,159,394

專利獲證名稱

環形磁阻記憶體及其寫入方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2015/10/13

技術說明

本發明係揭露一種環形磁阻記憶體，其包含一環形磁阻記憶元、一第一導線及一第二導線。第一導線定位於環形磁阻記憶元之一面並用以產生一第一磁場脈衝，第二導線定位於環形磁阻記憶元之另一面，且第一導線與第二導線垂直，第二導線用以產生一第二磁場脈衝，並且第二磁場脈衝與第一磁場脈衝具有一時間差。 本案技術特徵及其相對應的功效： (1)不需人工反鐵磁(SAF)結構，因此製程比橢圓形記憶元簡單、良率高、成本低 (2)磁化為環形分佈，無橢圓形記憶元有磁通洩漏導致串音的顧慮，因此提高紀錄密度。 (3)以時間差脈衝寫入，且只需一對word line與bit line，先前技術需兩對world line，因此製程簡單、良率高、成本低。 A ring-shaped magnetoresistive memory device includes a ring-shaped magnetoresistive memory cell, a first conductor, and a second conductor. The first conductor is positioned on a first surface of the ring-shaped magnetoresistive memory cell for generating a first magnetic field pulse. The second conductor is positioned on a second surface of the ring-shaped magnetoresistive memory cell for generating a second magnetic field pulse. The first surface is opposite to the second surface. An extension direction of the first conductor is perpendicular to an extension direction of the second conductor. A time delay is between the first magnetic field pulse and the second magnetic field pulse.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

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