垂直式多位元SONOS記憶體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100119496

專利證號

I 456703

專利獲證名稱

垂直式多位元SONOS記憶體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/10/11

技術說明

本發明關於一種垂直式多位元SONOS記憶體元件及其製造方法，其包括：一基板、一閘極部、一第一氧化層、一側壁氮化矽層、一第二氧化層及一半導體層。該閘極部形成於該基板上。該第一氧化層形成於該閘極部上。該側壁氮化矽層形成於該第一氧化層之側邊。該第二氧化層形成於該側壁氮化矽層上。該半導體層形成於該第二氧化層及該基板上，該半導體層具有至少一源極部及至少一汲極部。本發明之垂直式多位元SONOS記憶體元件可在單一元件中實現儲存多位元數的操作，增加元件的集積度。且可以增加元件捕獲電子的能力與增強元件在寫入速度與縮短寫入時間。 The invention relates to a vertical SONOS memory device and method for manufacturing the same. The vertical SONOS memory device includes a substrate, a gate, a first oxide layer, a spacer silicon nitride layer, a second oxide layer, a semiconductor layer. The gate is formed on the substrate. The first oxide layer is formed on the gate. The spacer silicon nitride layer is formed on a side wall of the first oxide layer. The second oxide layer is formed on the spacer silicon nitride layer. The semiconductor layer is formed on the second oxide layer and the substrate, and has at least one source and at least one drain. The vertical SONOS memory device of the invention can perform the operation for storing multi-bits in one single device so as to increase the integration. Furthermore, the ability for capturing electron can be improved and the writing speed can be accelerated and the writing time can be shortened.

備註

本部(收文號1060046158)同意該校106年7月7日中產營字第1061400726號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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