磁性記錄裝置的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093115509

專利證號

I298876

專利獲證名稱

磁性記錄裝置的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2008/07/11

技術說明

一種磁性記錄裝置的製造方法,先依序在基材上形成底層與磁性記錄層,再以氦離子佈植於磁性記錄層之一第一區域區域,使第一區域中的多數原子規則排列而成為一序化區域,並同時可以非磁性元素離子佈植於磁性記錄層之一第二區域,使第二區域中成為一非磁區域。本發明以離子佈植之直接能量轉換方式而無須後退火製程,即可使磁性記錄層形成多數間隔排列之非磁區域區與獨立的序化區域,且有效地降低鐵鉬合金之序化溫度,進而增加記錄儲存密度。此外,由於離子束具有可聚焦特性或是結合光罩的方式,可進行記錄媒體規則圖案之直接繪製。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址