正負雙型磁性光阻劑微影製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/459,201

專利證號

US 7,598,022 B2

專利獲證名稱

正負雙型磁性光阻劑微影製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2009/10/06

技術說明

本發明揭示了一種正負雙型磁性光阻劑微影製程,首先,提供一塗佈有一正負雙型磁性光阻層之基材,上述之正負雙型磁性光阻層包含一具有錳元素之前驅物與至少一親水性高分子。然後,對該正負雙型磁性光阻層進行至少一曝光程序以形成正型光阻或負型光阻。此外,於至少一曝光程序完成後,可以藉由一水性顯影劑進行一顯影程序。 The present invention discloses a positive and negative dual function magnetic resist lithography method. At first, a substrate coated with a positive and negative dual function magnetic resist layer is provided. The positive and negative dual function magnetic resist layer comprises a manganese(Mn)-containing precursor and at least one hydrophilic polymer. Next, at least one exposure procedure for the positive and negative dual function magnetic resist layer is performed to form either a positive resist or a negative resist. In addition, after the at least one exposure procedure, a developing procedure using water-soluble developer is performed.

備註

本部(收文號1070012179)同意該校107年2月8日校研發字第1070010604號函申請終止維護專利(臺大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

33669945

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