提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101123955

專利證號

I 509662

專利獲證名稱

提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2015/11/21

技術說明

本發明係關於一種改變已製備之P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方法，特別是有關於一種提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方法。如果能在製程中以簡單的製程步驟提升P型氧化鋅薄膜電洞濃度的方式將可提供製程上很大的便利，此為本發明所欲解決之問題。 解決問題之技術手段為對於使用化學氣相沉積法、濺鍍法、分子束磊晶法所製備之P型氧化鋅薄膜，通常先將基板加熱使其處於介於300℃~900℃之特定溫度狀態，並且製備P型氧化鋅薄膜，接著停止升溫，在一不高於前述之製備P型氧化鋅薄膜之特定溫度下，通入氮氣或是含氮的氣體或是其他可提供P型雜質之氣體，以提高P型電洞濃度。 在通入氣體以提高P型電洞濃度時，基板的溫度除了一不高於前述之製備P型氧化鋅薄膜之特定溫度外，還同時維持在該特定溫度或另一特定溫度或是逐漸降溫至又一特定溫度。 透過本發明的方法，可以簡單的將製備之氧化鋅薄膜提高電洞摻雜濃度。 A new strategy is proposed to enhance the hole concentration in the p-type zince oxide (ZnO) thin film when the chemical vapor deposition, the sputtering, or the molecular beam epitaxy methods are used for the film growth. By introducing the active gas into the growth chamber just after the deposition process of p-ZnO, without raising the temperature, can effectively enhance the hole concentration. Such a method is quite compatible with the nowadays existing technologies.

備註

本部(收文號1080026226)同意該校108年4月26日北科大產學字第1087900115號函申請終止維護專利

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