場控型全光波長轉換器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101109681

專利證號

I 488294

專利獲證名稱

場控型全光波長轉換器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/06/11

技術說明

為了實現下一次代全光波長轉換之高速網路，其中載子的動態速度與量子井載子侷限能力為主要之物理極限。在高能障壁之量子井結構中，由於其擁有較高量子侷限之效應而獲得良好的光調變效應，但在此結構中往往由於載子掃出量子井的時間較常長而影響其全光波長轉換之速度，因此，在此專利中我們提出利用混合高導電、價電帶寬不連續比之InGaAsP/InAlGaAs量子井結構材料為主動層材料，實現高速交叉光吸收調變(cross absorption modulation)，由於此材料之能帶結構擁有將輕電子侷限於高能障壁之導電帶與將重電洞侷限於低能障壁之價電帶的特性，在高電場下可同時兼顧高量子侷限與低載子掃出時間之優點；藉由整合光點轉換器，由大光模態轉換成小光模態，提升光纖偶合效率與主動層波導之光場強度使光轉換器效率提升，在光纖連結系統中實行高速之全光波長轉換。 In approaching high-speed high-efficient all-optical converter for next-generation all-optical network, physical limitation is on the photocarrier dynamics. High band offset will give high quantum-confined effect, leading to high efficient optical modulation. However, the well confined photocarrier results in long carrier sweep time through quantum structure. In this paten, we first proposed a combinational types of material structure with high electron- and hole- band offset ratio, namely InGaAsP/InAlGaAs quantum well, as active region for performing high-speed cross-optical-absorption modulation, in which high electron band offset for light-weight electron in conduction band and low band offset for heavy hole in valance band. The integration with optical spot size converter (SSC) could allow high tolerance in fiber coupling and high optical intensity in active region, therefore, under high electric field, realizing both all-optical-conversion efficient and high-speed performance.

備註

本部(收文號1070027911)同意該校107年4月26日中產營字第1071400414號函申請申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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(07)525-2000#2651

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