可連接多顆晶片及具有防靜電破壞之覆晶基板的製造方法及其裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096134578

專利證號

I 347689

專利獲證名稱

可連接多顆晶片及具有防靜電破壞之覆晶基板的製造方法及其裝置

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2011/08/21

技術說明

本發明係一種可連接多顆晶片及具有防靜電破壞之覆晶基板的製造方法及其裝置,係將導電層絕緣層導電層(CIC)電容覆晶基板圖形化製作光罩,使導電層絕緣層導電層電容覆晶基板上可接多顆發光二極體半導體元件:其中該導電層絕緣層導電層電容覆晶基板為半導體層、絕緣層、半導體基板組合而成。 該半導體基板為高散熱材質所形成。 該絕緣層可為高介電材料或是過電壓崩潰材料所形成,如此除了可保護多顆發光二極體半導體元件免於靜電放電破壞外,亦可節省成本,減小多顆發光二極體半導體元件組合後之體積,藉由半導體基板達到高散熱之效果。

備註

本部(收文號1080049109)同意該校108年7月18日長庚大字第1080070283號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

網址