延伸式閘場極場效電晶體之感測元件的形成方法與其所形成之感測元件METHOD FOR FORMING EXTENDED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR(EGFET) BASED SENSOR AND THE SENSOR THEREFROM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/343252

專利證號

US 8,133,750 B2

專利獲證名稱

延伸式閘場極場效電晶體之感測元件的形成方法與其所形成之感測元件METHOD FOR FORMING EXTENDED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR(EGFET) BASED SENSOR AND THE SENSOR THEREFROM

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2012/03/13

技術說明

本發明提供一種延伸式閘極場效電晶體之感測元件的形成方法，包括：(a) 提供一基板；(b) 形成一二氧化鈦、釕摻雜二氧化鈦或氧化釕感測薄膜於該基底上；以及(c) 形成一導線其由該感測薄膜延伸而出，作為對外之電性接點。 The invention provides a method for forming an extended gate field effect transistor (EGFET) based sensor, comprising: (a) providing a substrate; (b) forming a sensing film comprising titanium dioxide, ruthenium doped titanium dioxide or ruthenium oxide on the substrate; and (c) forming a conductive wire extended from the sensing film for external contact.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址