有機薄膜電晶體之製備方法以及有機薄膜電晶體之閘極介電層表面處理方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098134109

專利證號

I 394305

專利獲證名稱

有機薄膜電晶體之製備方法以及有機薄膜電晶體之閘極介電層表面處理方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/04/21

技術說明

本發明係關於一種有機薄膜電晶體之製備方法，包括：(S1)形成閘極於基板上﹔(S2)形成閘極介電層﹔(S3)提供氣體於閘極介電層表面上，使閘極介電層表面吸附具疏水性之分子﹔以及(S4)形成有機半導體層、源極、以及汲極於表面吸附有具疏水性分子之閘極介電層表面﹔其中，氣體係至少一選自由：經鹵素取代之烴類、非經取代之烴類、及其混合所組成之群組。本發明之有機薄膜電晶體之製備方法利用含碳或含氟之氣體分子進行表面處理，提高介電層表面之疏水性，進而提升有機元件的電特性。此外，本發明亦關於一種閘極介電層表面處理方法。 A method of fabricating an organic thin film transistor is disclosed, which comprises steps of: (S1) forming a gate electrode on a substrate; (S2) forming a gate insulating layer on the gate electrode; (S3) providing a gas on the surface of the gate insulating layer to form hydrophobic molecules on the surface of the gate insulating layer; (S4) forming an organic semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode over the gate insulating layer having hydrophobic molecules thereon, wherein the gas of step (S3) is at least one selected from the group consisting of halogen-substituted hydrocarbon, un-substituted hydrocarbon, and the mixtures thereof. The method of the present invention utilizes gases comprising carbon or fluorine atom to perform surface treatment on the surface of the gate insulating layer, therefore the hydrophobic character of the surface of the gate insulating layer can be enhanced and the electrical properties of the OTFT can be improved.

備註

本部(收文號1040059380)同意該校104年8月6日清智財字第1049004329號函申請終止維護專利(清華)

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