以鹼式法製造低介電係數層之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099115320

專利證號

I 404143

專利獲證名稱

以鹼式法製造低介電係數層之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

在此揭露一種以鹼式法形成一低介電係數層之方法。此方法包括下步驟: (a)混合四烷氧矽烷、乙醇、氫氧化四烷銨及水以形成第一混合物；(b)加熱第一混合物以形成含有複數個非結晶含矽顆粒之第二混合物，加熱時間少於約36小時，且非結晶含矽顆粒之粒徑小於約10 nm；(c)於第二混合物中加入一界面活性劑以形成一膠體溶液，膠體溶液中之界面活性劑的重量百分濃度為約1%至約20%；(d)將膠體溶液塗佈在基材上，並在基材上形成一膠體層；以及(e)加熱膠體層至一定條件，以將膠體層轉變為低介電係數層。 Discloses herein is a method of forming a low-k layer by using a basic solution. The method includes the following steps. Tetraalkoxysilane, ethanol, tetraalkylammonium hydroxide and water are mixed in a molar ratio between1:0.1:0.1:5 and 1:10:0.5:36 to form a first mixture. The first mixture is heated for a period of less than about 36 hours to form a second mixture containing a plurality of non-crystalline silicon-containing particles, wherein each of the non-crystalline silicon-containing particles has a particle size of smaller than about 10 nm. Subsequently, a surfactant is added to the second mixture to form a colloid solution, in which the surfactant has a concentration of about 1-20% by weight of the colloid solution. The colloid solution is coated on a substrate and thereby forming a colloid layer thereon. Then, the colloid layer is heated at a condition sufficient to transform the colloid layer into the low-k layer.

備註

本部(收文號1090002409)同意該校109年1月7日校研發字第1090000702號函申請終止維護專利(臺大)

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