NON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY WITH BI-DIRECTIONAL VOLTAGE DIVIDER CONTROL AND MULTI-STEP SEARCHNON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY WITH BI-DIRECTIONAL VOLTAGE DIVIDER CONTROL AND MULTI-STEP SEARCH

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/941,587

專利證號

US 9,502,114 B1

專利獲證名稱

NON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY WITH BI-DIRECTIONAL VOLTAGE DIVIDER CONTROL AND MULTI-STEP SEARCHNON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY WITH BI-DIRECTIONAL VOLTAGE DIVIDER CONTROL AND MULTI-STEP SEARCH

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/11/22

技術說明

未來大數據時代中，雲端運算進行多筆資料傳輸、複雜運算耗能之大，通常都會使用過濾器如：三元內容循址記憶體於各種平台介面間，可先將接收到的資料進行快速比對過濾，就能大幅減少高耗能傳輸的資料量，以達到省能效用。然而傳統靜態隨機存取器需要兩組SRAM儲存三種資料、為16顆電晶體組成的記憶胞，使得系統面積有限的情況下，傳統TCAM容量小；此外隨製程微縮，傳統TCAM待機漏電耗能大，一般解決方法為將資料搬動到另外一塊非揮發性記憶體內，然而這個方法不但開關機需搬動資料耗能大，且受限於傳輸介面的輸入輸出端數導致開關機資料搬動時間隨容量而增加。 此研究結合新興高密度、高低阻態比值大的非揮發性三元內容循址記憶體，來達到面積小、搜尋速度快、低耗能的需求。 The instant disclosure relates to a ternary content-addressable memory (TCAM); in particular, to a non-volatile ternary content-addressable memory (TCAM) with bi-directional voltage divider control and multi-step search.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址