去疵方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099145861

專利證號

I 423466

專利獲證名稱

去疵方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/01/11

技術說明

由於矽是生產太陽能電池的重要原材料，然而矽材料的供應短缺卻已成為太陽能市場成長的最大障礙，所以如何如何改善目前外部去疵的缺點，有效降低矽晶圓材料內重金屬離子的濃度，並抑制矽晶片內缺陷核產生，以改善晶圓的品質，進而確保製作出之光電元件的效能，一直是本技術領域研究者努力研究的目標。本發明提供一種去疵方法，先準備一組成份包含重金屬之半導體材料的基材，接著在250℃~400℃的低溫下於該基材的其中一表面沉積形成一應力層，再將上述製得形成有該應力層的基材，經過900℃~1100℃的熱作用，使得高溫時具有高擴散速率的重金屬可沿著該應力層方向擴散、沉積，以完成該去疵方法，此外，本發明還提供一種利用該去疵方法製得之太陽能電池。 This invention provides a gettering process to remove the heavy metal in semiconductors. On the wafer surface, a thin film was deposited on the wafer surface at low temperature (250℃~400℃) to form a stress layer. Then the substrates were heat-treated at high temperature (900℃~1100℃) to make the fast diffusivity metal diffuse toward to the stress layer to perform the gettering process.

備註

本部(收文號1080029338)同意該校108年5月10日興產字第1084300302號函申請終止維護專利

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