具有凸起氧化阻絕層及自我對準閘極之半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095137261

專利證號

I310227

專利獲證名稱

具有凸起氧化阻絕層及自我對準閘極之半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/05/21

技術說明

具有凸起氧化阻絕層及自我對準閘極之半導體裝置及其製作方法 Semiconductor device with and oxide block layer and a self-aligned gate and method ofr making the same

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址