於基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法METHOD OF FORMING SELF-ASSEMBLED AND UNIFORM FULLERENE ARRAY ON SURFACE OF SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098113831

專利證號

I 415789

專利獲證名稱

於基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法METHOD OF FORMING SELF-ASSEMBLED AND UNIFORM FULLERENE ARRAY ON SURFACE OF SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/11/21

技術說明

本發明提供一種於光電半導體（例如鍺、矽、砷、鋁、硼、氮化矽、氧化鋅、氮化鎵、氮化硼、磷化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦、藍寶石、硫化鋅、硫化鎘..等等）基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子（例如碳二十、碳二十四、碳三十六、碳四十、碳四十二、碳四十八、碳五十、碳五十五、碳六十、碳六十二、碳六十四、碳六十八、碳七十、碳七十二、碳七十六、碳七十八、碳八十、碳八十二、碳八十四、碳九十、碳九十四、碳九十六、碳一百、碳一百零二、碳一百二十、碳一百四十、碳三百、單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、多壁奈米碳管..等等）陣列的方法 The present invention relates to a method of forming a self-assembly fullerene array on the surface of a substrate. In particular, the present invention relates to a novel method of preparing a fullerene embedded substrate capable of being used as a field emitter, and a substrate for optoelectronic devices, and high-temperature, high-power, or high-frequency electric devices.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

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