紫外光檢測器及製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092107536

專利證號

I 202698

專利獲證名稱

紫外光檢測器及製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2004/06/01

技術說明

本發明係關於一種紫外光檢測器及製程方法，其主要係在一基板上形成一緩衝層，利用壘晶 法在緩衝層上形成一P型氮化鎵系層中，形成一N型氮化鎵系層及包覆在此N型氮化鎵系層中 且佈植濃度更高的另一N型氮化鎵系層，最後在該P型氮化鎵系層級第二N型氮化鎵系層上分 別鍍上一環狀金屬層及另一金屬層，以作為歐姆接觸層。本發明特別是在於，藉由離子佈植 技術，得以在元件之頂面形成一P型-N型氮化鎵系層排列之平面結構，使得入射光可直接接 觸其空乏層，而增進其光量子效率，因此可簡化製程步驟且提高產品良率，而達到降低成本 及增進該光電元件之效能者。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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