靜態隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110118920

專利證號

I 757190

專利獲證名稱

靜態隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2022/03/01

技術說明

一種靜態隨機存取記憶體包含一記憶體單元及一資料讀寫單元，該資料讀寫單元電性連接該記憶體單元，該記憶體單元具有一電晶體對、一上拉迴路電晶體、一傳輸電晶體、一防擾動電晶體及一放電電晶體，該電晶體對用以鎖存資料，該上拉迴路電晶體可選擇性地斷開或建立一上拉迴路，藉此提高靜態隨機存取記憶體的靜態雜訊邊際。 A SRAM includes a memory unit and a data writing and reading unit electrically connected to the memory unit. The memory unit comprises a transistor pair, a pull-up network transistor, a transmission transistor, an anti-disturbance transistor and a discharge transistor. The transistor pair is used to save the data, and the pull-up network transistor could disconnect or establish the pull-up network for increasing the static noise margin of the SRAM.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址