邊射型高功率雷射二極體結構STRUCTURE OF HIGH POWER EDGE EMISSION LASER DIODE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/987,431

專利證號

US 7,577,175 B2

專利獲證名稱

邊射型高功率雷射二極體結構STRUCTURE OF HIGH POWER EDGE EMISSION LASER DIODE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2009/08/18

技術說明

本發明使用MOCVD或 MBE在半導體雷射結構中成長啁啾式週期模態延展層，將近場光型在雷射鏡面上作橫向展開，以降 低鏡面上的雷射功率密度，可增加雷射的操作壽命，同時以啁啾式週期模態延展層實現L型之近場光型，可提高光侷限 因子，使得雷射操作效率進一步提升，若再配合增加發光層量子井之數目，則更容易獲得單模操作，高光侷限因子、低 鏡面雷射功率密度之半導體雷射。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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