場效電晶體型感測器Field Effect Transistor Based Sensor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/432,071

專利證號

US 7,829,918 B2

專利獲證名稱

場效電晶體型感測器Field Effect Transistor Based Sensor

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/11/09

技術說明

【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種場效電晶體型感測器，並且特別是有關於一種具有優異的靈敏度及反應時間之場效電晶體型感測器。 本發明揭露一種場效電晶體型感測器。根據本發明之一具體實施例之場效電晶體型感測器包含基板、氮化銦材料層、源極以及汲極。氮化銦材料層形成於基板之上並且具有上表面，並且上表面其上提供一檢體反應區域。氮化銦材料層作為介於源極及汲極間之電流通道。藉此，吸附至檢體反應區域之檢體引發流動於電流通道中之電流之變化，並且該變化進一步係解譯成關於該檢體之一特性。 The invention discloses an FET-based sensor. The FET-based sensor according to an embodiment of the invention includes a substrate, an InN material layer, a source, and a drain. The InN material layer is formed over the substrate and has an upper surface. The upper surface thereon provides an analyte sensing region. The InN material layer serves as a current channel between the source and the drain. Thereby, ions adsorbed by the analyte sensing region induce a variation of a current flowing through the current channel, and the variation is further interpreted into a property of the analyte.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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