奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/461,780

專利證號

US 7,235,443 B2

專利獲證名稱

奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2007/06/26

技術說明

奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法 NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING FLOATING GATE

備註

本部(收文號1040002157)同意該校104年1月5日1040000012號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址