有機場效電晶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097128935

專利證號

I 372480

專利獲證名稱

有機場效電晶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/09/11

技術說明

此項專利係有關於製作在非矽(Si)基板上可達到與矽基板相當的载子遷移率與開關比的有機場效電晶體製作方法，此裝置包括基板、金屬閘極、無機絕緣層、有機高分子填充層、介面改質層、源極/汲極與有機半導體層。其中基板包括Si基板、玻璃基板、軟性可繞曲基板等皆可使用,金屬閘極為鉻(Cr)或其他平坦金屬,無機絕緣層包括SiO2、Si3N4等常見無機絕緣層,有機高分子填充層為PVP、PMMA等有機絕緣體,源極/汲極為PEDOT、Au等導電金屬而有機半導體為小分子材料如pentacene、高分子材料如thiophene衍生物等高载子遷移率有機材料。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址