離子敏感場效電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098137183

專利證號

I 400443

專利獲證名稱

離子敏感場效電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/07/01

技術說明

本發明揭露一種離子敏感場效電晶體，其具有：一氮化鎵/藍寶石層，用以充當一基板；一a-InN:Mg磊晶層，沉積於該氮化鎵/藍寶石層之上以提供一電流路徑；一第一金屬接點，沉積於該a-InN:Mg磊晶層之上以提供一汲極接點；一第二金屬接點，沉積於該a-InN:Mg磊晶層之上以提供一源極接點；以及一圖案化絕緣層，覆蓋於該第一金屬接點、該第二金屬接點及該a-InN:Mg磊晶層之上，其中該圖案化絕緣層具有一接觸窗口以界定該a-InN:Mg磊晶層之曝露區域。 The present invention discloses an ion sensitive field effect transistor, comprising: a GaN/sapphire layer, used as a substrate; an a-InN:Mg epilayer, deposited on the GaN/sapphire layer, used to provide a current path; a first metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide drain contact; and a second metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide source contact; and a patterned insulating layer, used to cover the first metal contact, the second metal contact and the a-InN:Mg epilayer, wherein the patterned insulating layer has a contact window defining an exposure area of the a-InN:Mg epilayer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址