半導体裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096108883

專利證號

I 336956

專利獲證名稱

半導体裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

中央研究院

獲證日期

2011/02/01

技術說明

本發明可以有效提升太陽電池的能量轉換效率，在能源問題日趨嚴重的時 代將是一大貢獻。 本發明係一種奈米材料結構，可藉由量子穿遂效應有效將半導體材料中的電子與電洞分離，進而應用於太陽電池、光偵測等應用上，可以有效提升太陽電池的轉換效率與各種光電元件的性能。 本發明係一種奈米材料結構，可藉由量子穿遂效應有效將半導體材料中的電子與電洞分離，進而應用於太陽電池、光偵測等應用上，可以有效提升太陽電池的轉換效率與各種光電元件的性能。 The present invention can effectively enhance the power conversion efficiency of a solar cell, which is important in the coming energy shortage era. The invention refers to a nanomaterial architecture allowing quantum tunneling of electrons in a semiconductor and blocking of holes, which results in separation of electrons and holes. Therein, the efficiency of optoelectronic devices, particularly the conversion efficiency of solar cells, can be significantly enhanced.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉處

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02-2787-2508

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