高活性及穩定性中孔鎳電極及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098123022

專利證號

I 487179

專利獲證名稱

高活性及穩定性中孔鎳電極及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

義守大學

獲證日期

2015/06/01

技術說明

本發明提供一種高活性及穩定性電極材料的結構，尤其是中孔鎳電極材料，以及該電極材料之製備方法。利用電沉積技術在具有高表面積的中孔洞電極上鍍上一層異類金屬元素，可以維持原有的中孔結構，使其不受氧化作用影響，同時保有原本的高表面積與高反應電流。該所鍍上的異類金屬元素，其氧化電位必須高於鎳的氧化電位，才能抑制或減緩鎳電極的氧化。此外，為了不影響或降低感應電流，亦須適當選擇鍍膜厚度。因此，根據本發明之一態樣，提供一種中孔鎳電極，其特徵在於在該中孔鎳電極之具有高表面積的中孔洞中，藉由電沉積技術，鍍有一層異類金屬元素。該層異類金屬元素可以保護中孔鎳電極不被氧化，且可以產生電子轉移作用，使底層的鎳跟表層欲感測之物進行反應。該異類金屬元素係具有高於鎳的氧化電位的金屬元素。 The present invention provides a highly active and stable structure of electrode material, and in particular a mesoporous nickel electrode structure, and its preparation method. By electro-depositing a metal heteroatom layer on the mesoporous nickel electrode, which has a high surface area, the original mesoporous structure with the high surface area can be retained and the oxidation of nickel can be inhibited without reducing its original sensing current.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學智財營運總中心產學合作與專利技轉中心

連絡電話

07-6577711ext2683

網址