垂直式光電元件及其製法VERTICAL ELECTRO-OPTICAL COMPONENT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/111,205

專利證號

US 8,723,165 B2

專利獲證名稱

垂直式光電元件及其製法VERTICAL ELECTRO-OPTICAL COMPONENT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/05/13

技術說明

一種垂直式光電元件，係包括：基板、設於該基板上的第一電極層、設於該第一電極層上的圖案化絕緣層、設於該圖案化絕緣層上的金屬層、設於該第一電極層上的半導體層、以及設於該半導體層上的第二電極層，該半導體層係包覆該圖案化絕緣層與金屬層。本發明所構成之垂直式光感測元件係具有垂直式電晶體的低操作電壓及光二極體的高反應速度兩者之優點，且本發明亦可構成發光電晶體元件。本發明復提供一種垂直式光電元件之製法。此項研究將有效且方便地改善垂直式光電元件的元件特性，尤其是提高反應速度與降低操作電壓，以增進光電元件的效能，實已成為目前亟欲解決之課題。 The present invention provides a vertical electro-optical component, including: a substrate; a first electrode layer disposed on the substrate; a patterned insulating layer disposed on the first electrode layer; a metal layer disposed on the patterned insulating layer; a semiconductor layer disposed on the first electrode layer and encapsulating the patterned insulating layer and the metal layer; and a second electrode layer disposed on the semiconductor layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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