磁場輔助雷射電漿裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100120156

專利證號

I 406732

專利獲證名稱

磁場輔助雷射電漿裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

本發明系有關一種磁場輔助雷射電漿裝置，特別是指一種具有磁力部之磁場輔助雷射電漿裝置，其兼具加工時間短及可控制、監測以回饋調控孔洞形狀等優點及功效。 本發明之目的在於提供一種磁場輔助雷射電漿裝置，其兼具加工時間短即可控制孔洞形狀等優點及功效，並可及時回饋調控，用以解決習知技術加工時間長及無法控制微小金屬粒子之移動方向等問題。 本發明系有關一種磁場輔助雷射電漿裝置，特別是指一種具有磁力部之磁場輔助雷射電漿裝置，其兼具加工時間短及可控制、監測以回饋調控孔洞形狀等優點及功效。 本發明之目的在於提供一種磁場輔助雷射電漿裝置，其兼具加工時間短即可控制孔洞形狀等優點及功效，並可及時回饋調控，用以解決習知技術加工時間長及無法控制微小金屬粒子之移動方向等問題。 Magnetic field assisted laser plasma device designed for laser process with controllable、 monitoring、feedback and other features.

備註

本部(發文號1090003147)同意貴校108年9月26日雲科大研字第1080502640號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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