光感測元件及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100124002

專利證號

I 472048

專利獲證名稱

光感測元件及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/02/01

技術說明

本發明結合一維奈米材料高表面積的特點與蕭特基接點的特性，進而製作出在單位體積內具有很大蕭特基接點面積的一維奈米結構，包含奈米柱，奈米管及奈米核殼結構。.蕭特基接點具有內建偏壓可使光載子有效分離而此一維核殼奈米結構由於具有極大的蕭特基接點面積，因此完全不需施加偏壓即可對光有靈敏的感測效果，不僅如此，一維的奈米結構也侷限載子的傳輸方向，進而使載子傳輸效率提升。此一技術提供與以往完全不同的光感測器的元件製作方式，並且能製作出低耗電、高靈敏之光感測器。此奈米接點光感測器符合目前節能減碳之世界潮流，因此將來很有機會能運用於低耗電之光感測器。 The invention combines the high surface area of one dimensional nanomaterials and features of Schottky contact to produce the ultra-high junction area per unit volume for photo sensors. A Schottky contact with a built-in voltage can separate the photo-generated carriers effectively. The one-dimensional structure have ultra-high Schottky junction area per unit volume, therefore no external electrical bias is needed for sensitive photo sensing. Furthermore, the one-dimensional nanostructure confined carrier transport direction, and enabling the carrier transport efficiency. This technique provides an nanostructure for photo sensor devices with a low-power and a high sensitivity photo sensor. The photo sensor can save energy during operation and thus it has a very high potential for application in low-power photo sensing.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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