電阻式記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105113173

專利證號

I 605622

專利獲證名稱

電阻式記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/11/11

技術說明

本發明揭示一種電阻式記憶體，用於解決習知記憶體的可靠度不佳問題，該電阻式記憶體包含：二電極，係相互分離；一圍阻體，係設有一通道；及一含氧變阻層，係阻絕該圍阻體的通道，該二電極及該圍阻體共同包夾該含氧變阻層，構成該二電極及該圍阻體的元素均不含氧。藉此，可確實解決上述問題。 This invention discloses a resistance random access memory which is used to solve a problem of bed reliability of the known memory. The resistance random access memory comprises two electrodes to separate each other, a surround member having a passageway and a variable resistance layer containing oxygen used to obstruct the passageway. The electrodes and the surround member clips around the variable resistance layer containing oxygen together. The element of constructing the electrodes and the surround member excludes oxygen. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

本部(收文號1090044217)同意該校109年7月14日中產營字第1091400739號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址