強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091137556

專利證號

I 286842

專利獲證名稱

強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2008/12/17

技術說明

一種強化抵抗單一事件破壞之槽狀閘極雙擴散金氧半電晶體之結構及其方法，其主要是調整 P+ plug(或N+ plug )區域的側向及垂直方向的距離，利用延伸P+ plug (或N+ plug)的側向 及垂直方向的距離，來降地曹狀閘極雙擴散金氧半電晶體的側向電阻值，使單一事件破壞中 重離子撞擊所產生之短暫電流源的電動電流經由sourse端釋放出，使的元件內部的寄生NPN 電晶體更不易被驅動，以提高元件的抗輻射能力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

網址