低溫製備奈米碳管之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094112573

專利證號

I 274789

專利獲證名稱

低溫製備奈米碳管之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國防大學

獲證日期

2007/03/01

技術說明

本發明係有關於一種低溫製備奈米碳管之方法，其主要揭露一種在基材上製備複合金屬（co- catalyst）之催化劑，且經由熱裂解化學氣相沉積法（Thermal-CVD）生長奈米碳管之方法； 尤 其是指利用非均溫化學析鍍法與金屬化學置換法，在基材上製備複合金屬催化劑之微粒，以製 備奈米碳管；更特別的是，本發明可利用奈複合金屬微粒，降低生長奈米碳管所需之溫度；相 較於習知奈米碳管生成方法，本發明具有無需使用昴貴的裝置設備即可製備複合金屬奈米催化 劑微粒，並藉由複合金屬催化劑可大幅降低奈米碳管生長之溫度。

備註

本部(收文號1040084042)同意該校104年11月20日國學研發字第1040010791號函申請終止維護專利

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