矽奈米結構與其製造方法及應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099105914

專利證號

I 472477

專利獲證名稱

矽奈米結構與其製造方法及應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

本發明實施例提供一種矽奈米結構與其製造方法，其藉由金屬輔助化學蝕刻製備矽奈米結構。所製備的矽奈米結構的根部，亦即與矽基板連接處，具有側向蝕刻與多孔洞結構。藉此，可利用連接處結構脆弱的特徵，以物理方式轉移矽奈米結構至異質基板上，此矽奈米結構具有極佳的光學特性，在厚度遠小於目前矽太陽能電池的厚度下，除了達到極低的反射率，奈米結構可將光侷限在材料之中，而使材料的吸收增加，這個特性讓矽太陽能電池不再需要厚重的基板，大大地節省矽材料的使用，將可以使矽太陽能電池的成本大幅降低。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址