於可透光基材上合成銳鈦礦二氧化鈦（anatase TiO2）奈米結構的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101144818

專利證號

I 491577

專利獲證名稱

於可透光基材上合成銳鈦礦二氧化鈦（anatase TiO2）奈米結構的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/07/11

技術說明

世界首創以溫和條件且僅一步驟在導電玻璃上合成具抗反射特性的銳鈦礦二氧化鈦結構。經有此步驟的處理，可發現在可見光波長的範圍裡，光穿透度有明顯的上升。這個現象是由於合成出的二氧化鈦具有低反射率與高孔洞率的特性。於導電玻璃上合成銳鈦礦TiO2抗反射膜之技術，且該技術方案是簡易的、快速的、低成本的、適合大規模生產的，並可提高TiO2抗反射膜的可見光透光率（降低折射率）、以及在電致變色器件中的電化學反應，包括色密度和更快的色彩切換時間。 Antireflective properties-based anatase TiO2 nanowire devices with a high-porosity cross-linked geometry directly grown onto transparent conductive glass was achieved for the first time through a simple one-step hydrothermal process under mild alkali conditions. Devices fashioned from these TiO2 nanowires were found to display enhanced optical transparency in the visible range. These improvements can be attributed to the low refractive index and high porosity of the TiO2 nanowires.

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

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