以奈微米球製作圖案化基板之方法METHOD FOR PREPARING PATTERNED SUBSTRATE BY USING NANO- OR MICRO- PARTICLES

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/782,370

專利證號

US 8,367,446 B2

專利獲證名稱

以奈微米球製作圖案化基板之方法METHOD FOR PREPARING PATTERNED SUBSTRATE BY USING NANO- OR MICRO- PARTICLES

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/02/05

技術說明

本發明係有關於一種以奈微米球製作圖案化基板之方法，包括：(A) 提供一基板，其中基板表面係具有一光阻層；(B) 塗佈複數奈微米球於光阻層表面，以形成一奈微米球層；(C) 進行曝光顯影製程，以圖案化光阻層；以及(D) 移除奈微米球層。此外，於移除奈微米球層後，更包括：(E1) 以圖案化之光阻層做為一蝕刻遮罩，以蝕刻基板；以及(E2) 移除光阻層，以得到一圖案化基板，其中圖案化基板具有複數凹槽。線條可到100nm，比傳統曝光機只能到700nm-1000nm的尺寸細了許多。 A method for preparing patterned substrate by using nano- or micro- particles is disclosed, which comprises the following steps: (A) providing a substrate with a photoresist layer formed thereon; (B) coating a surface of the photoresist layer with plural nano- or micro- particles, to form a particle layer; (C) exposing and developing the photoresist layer to obtain a patterned photoresist layer; and (D) removing the particle layer. In addition, after the particle layer is removed, the method of the present invention further comprises: (E1) using the patterned photoresist layer as an etching template to etch the substreate; and (E2) removing the patterned photoresist layer to obtain a patterned substrate with plural cavities formed thereon.

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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