發光元件之磊晶結構EPITAXY STRUCTURE OF A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING III-NITRIDE QUANTUM WELLS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/335,355

專利證號

US 9,312,440 B2

專利獲證名稱

發光元件之磊晶結構EPITAXY STRUCTURE OF A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING III-NITRIDE QUANTUM WELLS

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/04/12

技術說明

利用分子束磊晶系統，以低溫兩階段的成長方式，在不受應力影響的氮化鎵微米碟上成長多層氮化銦鎵/氮化鎵量子井。進一步將藍光與黃綠光的發光體結合形成二白光LED。此專利發明降低了成長的困難度，並且不需使用含稀土元素的螢光劑。利用分子束磊晶系統，以低溫兩階段的成長方式，在氮化鎵微米碟上成長不同銦含量的氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井。光性實驗的結果顯示，綠光波段(2.192 eV)的發光強度比紫外光波段(3.383 eV)的發光強度高了十倍。結合藍光與綠光，形成不含螢光劑二元白光LED。 The high-quality InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells were grown on GaN microdisks with -LiAlO2 substrate by using low-temperature two-step technique of plasma-assisted molecular beam epitaxy. We demonstrated that the hexagonal GaN microdisk can be used as a strain-free substrate to grow the advanced InxGa1-xN/GaN quantum wells for the optoelectronic applications. We showed that the green light of 566-nm wavelength (2.192 eV) emitted from the InxGa1-xN/GaN quantum wells was tremendously enhanced in an order of amplitude higher than the UV light of 367-nm wavelength (3.383 eV) from GaN. Combine the blue and green light microdisk to form the phosphor-free binary light emitting diodes.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址