製造二氧化錫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置(美國專利)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

US7009376B2

專利證號

US7009376B2

專利獲證名稱

製造二氧化錫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置(美國專利)

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2006/03/07

技術說明

本專利係揭示一二氧化錫離子感測場效電晶體元件及其製造方法，使用溶膠─凝膠技術備製二 氧化錫作為離子感測場效 電晶體之感測薄膜，亦使用電流量測系統量測於不同pH值和不同溫度之溶液中的電流─電壓曲 線，根據其電流─電壓曲 線和溫度之間的關係可計算出二氧化錫離子感測場效電晶體的溫度參數。此外，二氧化錫離子 感測場效電晶體對不同pH 值之時漂率與不同pH迴圈之遲滯寬度亦可使用恆壓恆流電路計算之，並使用電壓─時間計錄器 量測二氧化錫離子感測場 效電晶體之閘極電壓。 A SnO2 ISFET device and manufacturing method thereof. The present invention prepares SnO2 as the detection membrane of an ISFET by sol-gel technology to obtain a SnO2 ISFET. The present invention also measures the current-voltage curve for different pH and temperatures by a current measuring system. The temperature parameter of the SnO2 ISFET is calculated according to the relationship between the current- voltage curve and temperature. In addition, the drift rate of the SnO2 ISFET for different pH and hysteresis width of the SnO2 ISFET for different pH loop are calculated by a constant voltage/current circuit and a voltage-time recorder to measure the gate voltage of the SnO2 ISFET.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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