製備奈米碳管之方法以及奈米碳管及其電極與應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101117330

專利證號

I 477639

專利獲證名稱

製備奈米碳管之方法以及奈米碳管及其電極與應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2015/03/21

技術說明

本發明提供一種製備奈米碳管(carbon nanotubes, CNTs)之方法，其包括提供一表面具有催化劑/鈦覆蓋之基材(catalyst-Ti-coated substrate)；以射頻氫氣電漿(radio frequency hydrogen-plasma)對於該基材進行前處理(pretreat)後，再藉由熱化學氣相沉積法(thermal chemical vapor deposition, TCVD)於一加熱溫度，並通入氨氣以及氫氣，而直接形成一具有垂直排列、高密集度與低非晶質碳之奈米碳管。本發明更提供一種如前述方法所製得之奈米碳管及其電極。本發明藉由射頻氫氣電漿前處理催化劑、調控溫度、氨氣及氫氣之體積流量，可促使生長之奈米碳管具有垂直排列、較高密集度、較低非晶質碳與較大平均比表面積，進而提升其奈米碳管電極之比電容值與壽命。 A method of fabricating carbon nanotubes (CNTs), which comprises the following steps: providing a catalyst-Ti-coated substrate; pretreat the substrate by radio frequency hydrogen-plasma, then directly subsequent TCVD with different NH3 as well as H2 flow rates and temperatures is used to prepare vertical-alignment, high packing density and low amorphism carbon nanotubes. Furthermore, a carbon nanotube electrode relates to the method. Moreover, Co as catalyst is pretreated by hydrogen-plasma and CNTs are grown at a temperature and volume flow rates of NH3 as well as H2, which contribute to more vertical-alignment, higher packing density and lower amorphism carbon nanotubes and higher average specific surface area to enhance specific capacitance and long cycle life of CNT’s electrode.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址