氧氣檢測裝置及其方法OXYGEN DETECTION DEVICE AND METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104123577

專利證號

I 553305

專利獲證名稱

氧氣檢測裝置及其方法OXYGEN DETECTION DEVICE AND METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2016/10/11

技術說明

本發明是提供一種使用a相In2Se3半導體，因為銦元素容易與氧氣結合而在表面形成a相In2Se3−3xO3x /a相In2Se3之異質結構置於一容置空間內為檢測此容置空間一個氧氣檢測器，再使用短波長雷射去激發未氧化時的a相二元化合物及氧化後a相三元化合物之激發光譜訊號由顯示單元解析，可以進一步判斷此容置空間使否有氧氣存在，再藉由高功率雷射去轟擊表面可去除表面氧化物還原成未氧化的a相二元化合物，此發明可以做為一種在高氧氣環境下的可逆式氧氣檢測器裝置。 The present invention provides a method using a phase In2Se3 semiconductor, because the indium element formed on the surface easily and in a phase heterostructure In2Se3-3xO3x / a phase In2Se3 it was placed in a container built this space to detect an oxygen sensor housing space combines with oxygen device, and then use a short wavelength laser to excite a phase excitation binary compound and after a phase ternary oxide compounds of spectrum signal unoxidized when parsed by the display unit can further determine whether this accommodating space so that the presence of oxygen, and then with high-power laser to bombard the surface to remove surface oxides can be reduced to a binary compound of unoxidized phase, this invention can be used as a high oxygen environment at reversing oxygen detector device.

備註

本部(收文號1100055598)同意該校110年9月2日臺科大研字第1100106507號函申請終止維護專利(台科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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