二氧化鈦感測膜之製法、具有二氧化鈦感測膜之離子感測場效電晶體、及測量其溫度參數、時漂量、遲滯量之方法與裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093108803

專利證號

I241020

專利獲證名稱

二氧化鈦感測膜之製法、具有二氧化鈦感測膜之離子感測場效電晶體、及測量其溫度參數、時漂量、遲滯量之方法與裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/10/01

技術說明

本發明係有關一種使用濺鍍法備製二氧化鈦薄膜的方法。此二氧化鈦薄膜可做為感測酸鹼離子 之離子感測場效電晶體之 感測膜。並利用電流-電壓量測系統對具有二氧化鈦/二氧化矽雙層結構之酸鹼離子感測場效電 晶體，於不同之操作溫度 及pH值下量測其電流-電壓曲線，進而由電流-電壓曲線與溫度之關係，可得到具有二氧化鈦感 測膜之離子感測場效電晶 體之溫度參數。此外，本發明亦利用恆壓恆流電路與電壓-時間記錄器測量具有二氧化鈦感測 膜之離子感測場效電晶體 之輸出電壓，並計算元件於不同pH值之時漂量與不同pH迴路的遲滯量。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址